与Si（硅)元件相比，SiC元件更容易实现高耐压，且开关损耗小，所以在降低装置电耗方面备受瞩目，预计全球市场今后五年的年均增长率将达到35％左右。 

本次的出货样品是由使用SiC元件的SBD（肖特基势垒二极管）和使用Si元件的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）构成的混合模块。产品系列从600V～1200V、乃至1700V，可广泛应用于各种工业机械的节能和小型化。

 

        数据来源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增长率。 

        本模块采用的SiC元件中运用了本公司在自2012年度起参与“TPEC（筑波电力电子星座）”共同研究体后、与国立研究开发法人产业技术综合研究所共同研究的成果。

 

2. SiC元件产品特点
 

（1）设备节能，降低电力转换时的损耗。 

        与以往的Si元件相比，可以大幅降低损耗，实现功率调节器的高效节能。就本公司生产的变频器而言，设备总损耗较以往机型降低了约30％。

 

（2）大功率和高频动作，节省设备占地空间 

        与传统的Si元件相比，产品的输出功率最大提高至1.5倍（1700V产品）。在维持装置原有大小的同时，扩大了容量。比如本公司生产的变频器机容量从315kW扩大至450kW，以此可以减少装置的设置台数。

 

        产品的动作频率最大可提升至2倍（1700V产品），且损耗保持不变。过滤器等周边元器件也因此可实现小型化。 

        凭借上述优点，产品可节约设备的占地空间。

 

（3）产品齐全，应用广泛 

        产品系列得到扩充与完善，包括600V、1200V和1700V等从小到大各种不同容量的产品。 

        可广泛运用于变频器、伺服、不间断电源装置、功率调节器等工业机械。

       富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司 ，即将扩充装载新一代功率半导体元件SiC（碳化硅）的混合模块产品系列，并开始样品出货。