富士（中国）电机第7代“X 系列”IGBT模块样品出货

 

　    富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司自8月起开始出货功率半导体的新产品--第7代“X系列”IGBT模块的样品。

 

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

 

1．背景 

 

      IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件，被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置（UPS）、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。预计市场规模将于2016年达到约4,262亿日元，之后保持每年6.0％的增长率。（数据来源：WSTS）。 

      近年来随着全球能源需求增长，各个领域对工业设备都提出了更高的节能要求。而工厂等生产现场则非常注重机器设备的小型化、节省空间化及高可靠性。 

      本模块是能够满足以上需求的最新产品，本次将首先出货1,200V耐压产品的样品，今后计划扩大产品阵容，逐次推出650V以及1,700V耐压产品。

 

2．产品特点 

 

（1）降低电耗，促进节能 

      通过对构成本模块的IGBT元件和二极管元件进行厚度减薄和微细化改进，实现了最佳元件结构。因此与传统产品（本公司第6代“V系列”）相比，变频器的工作电耗降低，有助于设备的节能和降低电力成本。

 

（2）实现设备小型化 

      使用最新研发的绝缘基板增强了模块的热扩散性能。除上述效能（降低电耗）以外还能抑制发热，从而较以往模块实现了约36％的小型化。此外还将最高连续工作温度从以往的150℃提高至175℃，所以能做到在维持设备原尺寸不变的同时，输出电流实现了最大35％的增幅。这些都促进了设备小型化和总成本的降低。

 

（3）提高设备可靠性 

      通过修改模块的结构和使用材料，提高了高温条件下的工作稳定性和持久性，有助于提高设备本身的可靠性。