产品:223
联系我们
外形尺寸为79.0×31.0×7.8（mm），采用双列直插结构，绝缘性符合UL1577标准。规格为650V/50A、75A，每种电流规格下根据有无过热保护功能又各包含2种型号。
G-IPM是由6对低损耗IGBT和高速FWD组成的三相变频电路。下臂IGBT是自带电流检测的IGBT（电流检测IGBT：为了实现过电流保护，内置了主电路电流检测功能的IGBT）驱动电路搭载了1块驱动下臂IGBT的LVIC芯片，和3块驱动上臂IGBT的HVIC芯片。另外还搭载了3块BSD芯片，通过连接三个外接电容器可组成上臂驱动电源。因此，不需要外接绝缘电源，节省了安装基板的空间。
用于2G-IPM的IGBT芯片，是以X系列IGBT的薄晶圆和微细化技术为基础。同一芯片上除了流过主电流的部分之外，还集成了用于检测主电流的分流部分，以实现更好的过流保护。
本产品对漂移层的电阻率、厚度、电场终止(FS)层的属性及表面通道密度进行了优化，相比1G-IPM用IGBT芯片改善了Vce(sat)，Eoff损耗降低了约56%。
本次采用的FWD以X系列的FWD芯片技术为基础，对阳极扩散属性及寿命控制进行了优化，并通过软恢复特性，对均衡性进行了改善。通过以上改善，相对于1G-IPM。Err降低约55%，dvr/dt抑制了约15%，干扰预计可以降低10dbB左右。
以上对第2代小容量IPM650V/50A、75A的系列化进行了说明。今后，大型空调、工业用变频器和伺服系统的需求将不断扩大，本产品便是满足这些需求的产品之一，将来还会考虑将该系列扩大到1200V。
富士电机今后也会将实现系统整体节能作为使命，开发实现进一步差异化的产品。
了解更多内容请点击：富士变频器
本文摘自：网络 日期：2020-04-14